清华团队开发出超高感光度双光子光刻胶丨科创要闻

数字时代,半导体是数据存储、计算、传输的基石,各国纷纷把半导体行业的制造、科研列为重中之重,更有各种对于前沿技术和先进产品的出口限制,基于技术制衡的合纵连横,长远看,科学家们才是真正彻底改变游戏规则的人。

责任编辑:黄金萍

10月19日,清华大学官网发布消息称,该校核能与新能源技术研究院新型能源与材料化学团队,首次提出高效光致极性变化调控光刻胶溶解度机制,并据此开发成功了一种基于金属氧化物纳米颗粒的超高感光度双光子光刻胶。

经测试,采用这种光刻胶的双光子打印速率达到了7.77m/s。这是全球首次将光刻速度提高到米/秒级别,比传统的聚合物基光刻胶快了3-5个数量级;此外,采用这款光刻胶还实现了极高的打印分辨率,曝光线条的线宽能够小至38nm,优于深紫外(DUV)浸没式光刻技术的线宽极限。

10月2日,该研究成果发表在《自然·纳米技术》(Nature Nanotechnology),题为《可实现超高速增材制造打印的光刻胶》(Ultrahigh-printing-speed photoresists for additive manufacturing)。

该研究成果技术大幅缩短了双光子光刻制造所需的时间,且显著提高了其加工分辨率,有望实现双光子光刻技术在微纳制造领域的大规模实际应用。该技术极大地降低光刻机的复杂程度、体积和制造运行成本,也有望为半导体集成电路芯片制造开辟全新的低成本技术路线。

数字时代,半导体是数据存储、计算、传输的基石,各国纷纷把半导体行业的制造、科研列为重中之重,更有各种对于前沿技术和先进产品的出口限制,基于技术制衡的合纵连横长远看,科学家们才是真正彻底改变游戏规则的人。

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网络编辑:孙显安 校对:胡晓

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